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突破！国内首台大型真空碳化硅冶炼炉-icspec
2024年9月10日 此次研发的真空碳化硅冶炼炉不仅展示了公司在技术创新上的实力，也为国内碳化硅产业的自主化和产业化水平提升做出了贡献。 近期，国内在碳化硅设备研发和产业化方 9月9日，据常州日报消息，江苏方硕建设集团有限公司研发成功国内首台大型真空碳化硅冶炼炉，并计划投资年产20万吨高品位碳化硅项目，9月1日，该项目通过专家组论证。. 据报道，该 国内首台大型真空碳化硅冶炼炉面世！ - 电子工程专辑 EE ...
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国内首台 大型真空碳化硅冶炼炉在常研发成功 可收集尾气 ...
2024年9月9日 江苏方硕建设集团有限公司研发成功国内首台大型真空碳化硅冶炼炉，并计划投资年产20万吨高品位碳化硅项目，项目尾气回收28万吨一氧化碳用于合成10万吨甲醇，实现经 3 天之前 大会期间，在重磅嘉宾以及参会媒体的见证下，连科半导体有限公司成功上线“新一代8英吋碳化硅长晶炉”，正式实现了大尺寸碳化硅衬底设备的全面供应。连科半导体发布新一代8英吋碳化硅长晶炉，与西安
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碳化硅生产新工艺 - 百度学术
传 统的碳化硅生产工艺是间歇式的 ,而一种新的碳化硅生产工艺是连续式的 ,该工艺被称为HSC(HopkinsvilleSili conCarbide)工艺。 HSC工艺所用的电炉是一竖式圆筒形炉 ,炉壁结构材料 2017年9月18日 本公司突破了炉气回收的壁垒，开发出高稳定性的“全封闭移动式碳化硅冶炼炉窑”，该项技术在总结前人的基础上，对碳化硅冶炼炉气回收做出了革命性的创造和发明，不仅 我国“全封闭移动式碳化硅冶炼炉窑技术”达领先水平-要闻-资讯 ...
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我国“全封闭移动式碳化硅冶炼炉窑技术”达领先水平 - 百家号
2017年9月15日 该项目是国内首个实现碳化硅封闭冶炼，解决了碳化硅在冶炼过程中炉气不能回收的难题，通过回收炉气送至电站做功发电降低碳化硅生产成本。 解决了原始冶炼过程中炉 2017年9月15日 本公司突破了炉气回收的壁垒，开发出高稳定性的 “ 全封闭移动式碳化硅冶炼炉窑 ”，该项技术在总结前人的基础上，对碳化硅冶炼炉气回收做出 ...我国“全封闭移动式碳化硅冶炼炉窑技术”达领先水平_央广网
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碳化硅生产工艺 - 百度文库
装料顺序是在炉底先铺上一层未反应料，然后添加新配料到一定高度(约炉芯到炉底的二分之一)，在其上面铺一层非晶形料，然后继续加配料至炉芯水平。 炉芯放在配料制成的底盘上，中间略凸起以适应在炉役过程中出现的塌陷。碳化硅工艺过程简述-停电后经过一段时间冷却，就可以拆除炉墙，然后逐步取出炉内各种物料。 制炼后炉内的物料，从外到里，构成下列各物层：（1）未经反应的物料这部分炉料在制炼时未达到反应温度，因而不起反应，只起保温作用，它在炉中所占的位置叫保温带。碳化硅工艺过程简述 - 百度文库
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碳化硅电力电子器件及其制造工艺新进展
2002年7月1日 陈治明. 碳化硅电力电子器件及其制造工艺新进展[J]. 半导体学报(英文版), 2002, 23(7): 673-680. Citation: 陈治明. 碳化硅电力电子器件及其制造工艺新进展[J].2020年7月4日 碳化硅炉中各产物的一般成分如表2 所列。表2SiC冶炼炉中各产物的化学成分 需要指出，SiC冶炼炉中随着与炉心距离的增加，生成的SiC结晶形式按如下顺序有规律地改变：6H→15R→4H→3C。对于绿SiC炉，炉芯体周围是一层相当厚的6H型SiC，其外是(6H+5R ...耐火原材料——碳化硅的合成工艺 - 百家号
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竖炉熔铜工艺的实践 - 百度文库
竖炉熔铜工艺的实践-第 30 卷第 3 期 2008 年 5 月工业炉Industrial FurnaceVol．30 No．3 May 2008竖炉熔铜工艺的实践袁辅平 （ 大冶有色金属公司 阳极铜厂， 湖北 黄石 435005）摘 要： 介绍了竖炉－ 反射炉联合作业工艺。燃气竖炉通过技术 ...北京钢研新冶精特科技有限公司是中国钢研科技集团有限公司（国务院国资委直属的中央企业）下属的科技型企业，是国家科技重大专项—极大规模集成电路制造装备及成套工艺（ 02 专项）下“ IC 装备用陶瓷等高端零部件制造工艺研发与制造基地建设”课题的牵头组织和具体实施单位。北京钢研新冶精特科技有限公司 - Semiconshop
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碳化硅晶体生长炉_中国科学院沈阳科学仪器股份有限公司
碳化硅晶体生长炉-中国科学院沈阳科学仪器股份有限公司-主要由炉室组件、上炉室组件、样品支撑机构、测温窗传动组件、真空获得及测量系统、气路系统、水路系统、感应加热系统、自动控制系统等组成。要求设备结构设计稳定，运行平稳，且有多项安全防护设施，质量流量及温度控制精 3 天之前 针对这些问题，目前国内外厂商也在积极改进工艺和设备，比如采用液相法来制备碳化硅晶体、用激光来切割碳化硅晶锭、采用不同技术路线的碳化硅外延生长炉等等，下面就来介绍一下这些已经开始使用，或正在验证有望商业应用的新技术和设备吧。液相法、激光切割，正在迭代应用的碳化硅新工艺介绍
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突破！国内首台大型真空碳化硅冶炼炉-icspec
2024年9月10日 该冶炼炉的设计突破了传统工艺，集成了尾气回收系统，有效解决了烟尘污染问题，能将高纯尾气中的一氧化碳与氢气合成甲醇，从而降低能耗约20% 。该设备形状类似平躺的圆柱，长达120米、直径12米，最大装载量可达1650吨碳化硅。作为国内首台 ...2022年10月17日 中冶赛迪自主研发的第3代废钢预热型电弧炉-绿色智能超级电弧炉（CISDI-SuperARC）是继第2代废钢预热型电弧炉-阶梯连续加料型电弧炉（CISDI-AutoARC）后，应用了新型IGBT柔性直流供电技术、电极无级双控智能调节技术、废钢连续预热技术、废钢阶梯连续科技新进展：中冶赛迪绿色智能超级电弧炉全套技术
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碳化硅 - 知乎
2020年4月24日 碳化硅（又名：碳硅石、金钢砂或耐火砂），化学简式：SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑为原料通过电阻炉高温冶炼而成的一种耐火材料。碳化硅在大自然也存在于罕见的矿物，莫桑石中。在当代C、N、B等非氧化物高技术耐火原料中，碳化硅为应用最广泛、最经 在材料产品中，CVD-SiC是颇具成长性的产品，该产品可作为半导体生产设备的治具及部件。碳化硅是硅和碳1:1结合构成的一种化合物，其硬度仅次于钻石和碳化硼，居世界第三位。Ferrotec应用含有硅和碳的气体即CVD工艺法来进行制造 碳化硅部件-杭州大和热磁 - Ferrotec
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几种碳化硅陶瓷的致密化工艺 - 艾邦半导体网
2 天之前 碳化硅是一种典型的共价键结合的稳定化合物, 加上它的扩散系数低, 很难用常规的烧结方法达到致密化 ,必须通过添加一些烧结助剂以降低表面能或增加表面积 ,以及采用特殊工艺处理来获得致密的碳化硅陶瓷。 按烧结工艺来划分 2021年12月24日 因为以后要用到大量的这种材料因此想了解一下这种材料的生产工艺。比如，当前主流的生产工艺是什么？优缺 第二个应用是中低压输配电，为了提高效率，需要利用SiC器件实现中低压输电，一般采用MMC结构。我想了解一下碳化硅的生产工艺？ - 知乎
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低能耗碳化硅真空多功能环保冶炼炉及工艺 _科创中国
2019年8月2日 成果简介:该项目开展了真空冶炼新工艺和设备的研究，研发了密闭式真空冶炼炉及可移动炉芯等技术，显著降低了冶炼能耗；回收冶炼过程中产生的尾气，用于发电，经过调压和变频直接用于产品生产，达到了节能降耗、污染物减排的目的。2024年4月28日 来源：浙大杭州科创中心明亮的实验室里，温度高达2000多度的碳化硅单晶生长炉边，浙江大学杭州国际科创中心（简称科创中心）先进半导体研究院-乾晶半导体联合实验室（简称联合实验室）的研究人员们十分兴奋。经过近两年的努力，联合实验室首次生长出厚度达100 mm的超厚碳化硅单晶！厚度达100 mm! 碳化硅单晶生长取得新进展 来源：浙大杭州科 ...
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碳化硅“狂飙”：追赶、内卷、替代Focus - 腾讯网
2023年7月14日 因为碳化硅在生产环节存在单晶生产周期长、环境要求高、良率低等问题，碳化硅衬底的生产中的长晶环节需要在高温、真空环境中进行，对温场稳定性要求高，并且其生长速度比硅材料有数量级的差异。因此，碳化硅衬底生产工艺难度大，良率不高。2023年11月3日 请问这个碳化硅炉什么时候能投入生产，如果投入生产有没有领先优势？ 京运通（601908.SH）11月3日在投资者互动平台表示，我司研发的碳化硅炉已产出合格晶体，正在进行生长工艺的优化，以提高产品的合格率和利用率。京运通：我司研发的碳化硅炉已产出合格晶体，正在进行生长 ...
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碳化硅电力电子器件及其制造工艺新进展_百度文库
陈治明 : 碳化硅电力电子器件及其制造工艺新进展 2 碳化硅电力电子器件 低 . 由于单极功率器件的通态比电阻随其阻断电压 的提高而迅速增大 ,硅功率 MOS 只在电压等级不超 过 100V 时才具有较好的性能价格比 .2024年9月9日 近期，国内企业在碳化硅设备研发和产业化方面不时传出新进展，除上述碳化硅冶炼炉 ... 该设备年可剥离碳化硅衬底20000片，实现良率95%以上，与传统的线切割工艺相比，大幅降低了产品损耗，而设备售价仅仅是国外同类产品的1/3 ...国内首台大型真空碳化硅冶炼炉面世！ - 电子工程专辑 EE ...
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晶升股份研究报告：碳化硅和半导体级单晶炉领先者
2023年5月19日 积极推进半导体级单晶硅炉的新项目研发，持续增强公司产品竞争力。公司目前主要 半导体级单晶硅炉在研项目包括 28nm 以下存储用抛光晶体生长设备、12 寸重掺杂功率器 件用单晶炉以及降低半导体级单晶硅微缺陷浓 2023年11月18日 碳化硅材料主要包括单晶和陶瓷2大类，无论是作为单晶还是陶瓷，碳化硅材料目前已成为半导体、新能源汽车、光伏等三 ... 一般只能采用CVD工艺进行生长SiC厚层块体，随后经精密加工而制得，主要用于半导体刻蚀工艺的制备环节。碳化硅 ...碳化硅，在三大“千亿赛道”狂飙 - 知乎
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工艺详解碳化硅晶片的工艺流程 - 知乎
2020年12月8日 目前全球95%以上的半导体元件，都是以第一代半导体材料硅作为基础功能材料，不过随着电动车、5G等新应用兴起，硅基半导体受限硅材料的物理性质，在性能上有不易突破的瓶颈，因此以氮化镓（GaN）、碳化 2023年11月3日 新料法是将配好的原材料直接装入电阻炉的反应区冶炼炼碳化硅微粉。 熔烧料法是将配好的原材料装入下一炉的反应区进行冶炼。 碳化硅微粉生产的工艺流程分为：配料→装炉→冶炼→冷却与扒炉→混料除盐→出炉与分级→造粒。碳化硅微粉生产工艺流程 - 百家号
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碳化硅烧结炉是生产碳化硅材料的关键设备_百度文库
碳化硅烧结炉的工作原理 碳化硅烧结炉是一种特殊的高温炉，用于碳化硅材料的烧结和制备。碳化硅材料的制备主要包括碳化硅粉末的干燥、添加固化剂、成型、烧结等工艺。 碳化硅烧结炉的烧结工艺普遍采用真空和保护气氛两种方式。2024年1月26日 半导体碳化硅(SiC)是一种Si元素和C元素以1:1比例形成的二元化合物，即百分之五十的硅（Si）和百分之五十的碳（C），其基本结构单元为 Si-C 四面体。而碳化硅(SiC)晶体，就是由碳原子和硅原子有序排列而成。选择碳原子（硅也可以）形成最紧密堆积层碳化硅 (SiC)半导体结构及生长技术的详解 - 九域半导体科技 ...
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京运通：我司研发的碳化硅炉已产出合格晶体，正在进行生长 ...
证券之星消息，京运通(601908)04月30日在投资者关系平台上答复投资者关心的问题。投资者：碳化硅炉以及相关产品是否有销售成交？京运通董秘：您好。我司研发的碳化硅炉已产出合格晶体，正在进行生长工艺的优化。目前尚未对外销售。感谢您的关注。2024年10月17日 ESK-SIC 与京瓷之间的合作旨在提高整个碳化硅价值链的效率和可持续性。这将涉及开发新的制造技术、优化生产工艺、研究创新应用以及建立碳化硅材料回收的循环经济原则。ESK-SIC与KYOCERA合作以实现碳化硅可持续生产
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碳化硅生产工艺 - 百度文库
碳化硅的生产工艺和投资估算 碳化硅是人工合成的材料，其化学计量成分以克分子计：Si 50%、C 50％以质量计:Si 70.04%、C 29。96%，相对分子质量为40。09. 碳化硅有两种晶形：β-碳化硅类似闪锌矿结构的等轴晶系；α—碳化硅则为晶体排列致密的六方晶3 天之前 半导体晶圆面型参数TTV、BOW、Warp是芯片制造必须要考虑的因素，十分重要。这三个参数共同反映了半导体晶圆的平面度和厚度均匀性，对于许多芯片制造过程中的关键步骤都有直接影响。碳化硅晶圆减薄工艺中的重要指标 - 艾邦半导体网
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