IT之家 10 月 17 日消息,一汽红旗今日宣布,由研发总院新能源开发院功率电子开发部主导设计的首款 1700V 超高压碳化硅功率器件样件开发成功。 据介绍,该器件“有力解决”用户在驾乘时 2022年8月29日 我们认为,凭借“耐高压”、“耐高温”和“高频”等优越的物理特性,SiC MOSFET 有望在新能源汽车 800V 高压超充时代快速替代 Si IGBT,在主驱逆变器、 充电桩、OBC 等应用场景中加速渗透,随着各主机厂 800V 高压平 碳化硅行业专题分析:800V高压超充来临,碳化硅步
了解更多12 小时之前 一汽红旗首款1700V超高压碳化硅功率器件样件开发成功. 近日,由中国一汽研发总院新能源开发院功率电子开发部主导设计的首款1700V超高压碳化硅功率器样件开发成功。. 2023年7月21日 SiC在高压下的优势. SiC的最大优点是,仅5 μm的薄漂移区域可以阻挡650 V,这意味着在该电压范围内,快速开关MOSFETs可以取代较慢开关的硅绝缘栅双极晶体管 (IGBTs)。 如此薄的一层的电阻很小,以至于一个小 高压碳化硅 (SiC)器件的现状——学术视角 互联网
了解更多2024年6月14日 磨抛设备及工艺碳化硅复合增效平坦化技术CMP is Chemical M. anical material removal for wafer surface Planarization. 使用化学腐蚀以及机械力对加工过程 . 它衬底材料进行 2023年5月6日 碳化硅晶锭是碳化硅衬底制造最核心工艺环节,决定了碳化硅衬底的电学性质。 目前晶体生长的主要方法有 物理气相传输法(PVT)、高温化学气相沉积法(HT-CVD)和液相外延(LPE) 三种方法,物理气相传输法为市场 电动车800V高压系统的核心—碳化硅 - 知乎
了解更多19 小时之前 SiC通常用于高压应用(>650V),但在 1200V 及更高电压下,碳化硅开始发挥显著作用,成为太阳能逆变器和电动汽车充电的最佳解决方案。. 它也是 ...2018年5月16日 碳化硅(SiC)的高压行为是一种硬质半导体材料,通常以其许多多型结构和耐火性质而闻名,已日益成为当前研究的主题。. 通过实验和计算工作,已测量和探索了高压SiC的 碳化硅的高压,高温行为:综述,Crystals - X-MOL
了解更多2024年10月14日 新车共推出4款车型,官方指导售价19.69万-23.69万元。. 岚图知音最高可实现901公里超长续航,搭载800V高压碳化硅平台,可实现15补能515公里 ...碳化硅高压磨 脱硫石灰粉雷蒙磨 高岭土微粉磨 碳酸钙微粉磨 郑州凯兴机械有限公司 第 8 年 河南 荥阳市 主营产品: 雷蒙磨粉机 粉碎机 木粉机 斗式提升机 木材粉碎机 公司简介:郑州凯兴机械有限公司位于河南省郑州市,公司在郑州西区指定工业区内 ...碳化硅超细微粉磨厂家-碳化硅超细微粉磨厂家、公司、企业 ...
了解更多2022年10月14日 1、碳化硅应用于高密封介质压力的机械密封 机械密封在高压 下工作,密封端面需要承受很大的载荷,这就要求密封材料必须具有很高的强度和刚度,不然密封端面就会因受压而变形,导致泄漏或快速磨损,从而导致机械密封失效。碳化硅材料是 ...2020年9月21日 是工业体系中不可或缺的核心半导体产品。碳化硅功率器件以其优异的耐高压 、耐高温、低损耗等性能,能够有效满足电力电子系统的高效率、小型化和轻量化要求,在新能源汽车、光伏发电、轨道交通、智能电网 ...第三代半导体材料之碳化硅(SiC)应用现状及前景
了解更多2024年10月15日 碳化硅具有强度大、硬度高、弹性模量大、耐磨性好、导热性强和耐腐蚀性好等优异性能,被广泛地应用于磨料磨具、陶瓷、冶金、半导体、耐火材料等领域。常用的制备碳化硅粉体方法有碳热还原法、机械粉碎法、溶胶–凝胶法、化学气相沉积法和等离子体气相合成法等等。2016年11月4日 改善4H-SiC晶圆表面缺陷的高压碳化硅解决方案 - 全文-本文分析讨论了生长前氢气蚀刻时间和缺陷密度之间的关系。事实上,透过发光致光和光分析方法,我们发现层错形式的外延层缺陷和表面缺陷的数量随蚀刻时间增加而增多。增加氢气蚀刻时间后,衬底位错变大,外延层缺陷数量增多。改善4H-SiC晶圆表面缺陷的高压碳化硅解决方案 - 全文
了解更多2 天之前 简单来说,整个架构的高压方案是采用800V。 02 800V高压架构的多种方案 第一种:全域800V 全域800V,即整车的电机、电池、电控、空调、DC-DC等电气系统均支持800V。例如小鹏的G9,其搭载扶摇架构的车型就是标配全域800V高压SiC碳化硅平台。2023年11月22日 昨天,华为发布首款智选车,搭载了旗下新一代碳化硅电机;一周前,搭载SiC模块的路特斯Emeya刷新了量产电动车最快圈速,详情请往下看。 华为新一代SiC电机 首发搭载智界S7 11月9日,华为发布了全新的震撼新品——全新一代DriveONE 800V高压碳化硅黄金动力平台,并宣布“上车”旗下首款智选车智界 ...华为发布全新一代DriveONE 800V高压碳化硅SiC车型!
了解更多绿碳化硅具有优异的物理和化学特性,包括高硬度、高熔点、良好的导热性和化学稳定性,在一些需要这些特性的应用中具有竞争优势。磨料和打磨工具: 通常用作磨料和磨具的原材料,尤其适用于要求高磨削效率的应用。 耐火材料: 由于其硬度高、熔点高、耐高温,常被用作耐火材料的原 2019年7月25日 2、碳化硅有什么用? 以SiC为代表的第三代半导体大功率电力电子器件是目前在电力电子领域发展最快的功率半导体器件之一。碳化硅作为第三代半导体材料的典型代表,也是目前晶体生产技术和器件制造水平最成熟,应用最广泛的宽禁带半导体材料之一,目前在已经形成了全球的材料、器件和应用 ...三了解第三代半导体材料:碳化硅(SiC) - 知乎
了解更多2024年5月6日 碳化硅晶圆的制造流程涉及前驱体净化处理、高温高压下的化学反应生成固态碳化硅、定向生长以及后续加工等关键步骤。这些步骤共同确保了碳化硅晶圆的高品质制造。碳化硅晶圆因其高硬度、出色的耐磨性、高温稳定性、 2024年4月24日 YGM高压悬辊磨粉机 产品简介: YGM高压悬辊磨粉机适用于矿业、建材、化工、冶金等行业,可对石英石、长石、重晶石、萤石、白云石、石榴石、碳化硅、铝钒土、锆英砂、大理石、方解石、铁矿石、磷矿石、煤块、陶瓷 YGM高压悬辊磨粉机,YGM高压磨,高压磨-卓亚机器
了解更多2023年10月14日 黑碳化硅相对绿碳化硅硬度较低,用来磨硬度较低的材料,如铸铁和非金属材料;绿碳化硅适合磨削硬质合金,光学玻璃、钛合金之类的东西,还有一种立方碳化硅专用于微型轴承的超精磨。碳化硅磨具,来源:山东金 2023年3月7日 碳化硅半导体器件生产工序主要包括碳化硅高纯粉料、单晶衬底、外延片、功率器件、 模块封装和终端 ... 精英计划领军”人才,长期致力于材料科学与晶体技术研 究,擅长晶体材料生长与精密切磨抛加工,具有二十余年的产品研发和量产导入 ...碳化硅行业研究:同质外延SiC需求广阔,掘金百亿高成长赛道 ...
了解更多2017年4月26日 焦炼黑碳化硅近期石油焦的上涨,导致焦炼黑碳化硅出产CLM高压辊磨机CLM20080-D-SD本钱上涨。因此,在塑料中使用高岭土必须对其进行表面处理,降低颗粒表面能,才有利于在塑料基体中分散。 在这一重大机遇面前,一、合适的才是*****的磨粉粒度 ...2024年3月7日 碳化硅(SiC)作为一种先进的半导体材料,在多个关键领域中具有重要应用。随着技术进步和市场的需求增长,碳化硅晶圆的制造工艺和精密加工技术变得至关重要。文章探讨了碳化硅晶圆制造中的各种精密加工技术,以及它们如何帮助实现产品的高性能和高可靠性。同时,文章也提到了中国在全球 ...「碳化硅」晶圆制造及精密磨削、抛光、清洗解决方案,实现 ...
了解更多2024年10月17日 什么是磨粒? 磨粒是一种具有锋利性质的颗粒, 粗糙的表面. 它存在于多种材料中, 比如沙子, 石头, 甚至金属. 当在施加的压力下接触时,磨粒用于磨损目标材料. 最常用的磨料是砂纸, 可以用碳化硅制成 (碳化硅) 或氧化铝 (氧化铝). 其他常用的磨料是立方 ...2023年5月2日 但是,碳化硅晶体具有高硬度,高脆性,耐磨性好,化学稳定性好等特点,这又使得碳化硅晶片的加工变得非常困难。碳化硅衬底的加工主要分为以下几个工序,切割,粗磨,精磨,粗抛,精抛(CMP)。1.切割 切割是将SiC晶棒沿着一定的方向切割成晶体薄片的碳化硅晶片的磨抛工艺、切割、研磨、抛光
了解更多矿山冶金高压辊磨 机应用 秤系列 计量输送设备系列 DCS集散控制系统 配件供应 备件及修复 ... 锤头、齿圈、分级轮等关键部件可选用氧化铝、氧化锆、碳化硅 等非金属材料制作,确保在整个粉碎过程无金属污染,满足高纯度材料的要求 ...摘要: 本文研究了微米级金刚石与硅粉在高温(800~1 200 ℃)高压(5.1 GPa)下的反应机理.通过对金刚石与硅粉反应过程的研究,发现微米级金刚石与硅粉在硅熔点以下发生了反应;并指出高温高压下微米金刚石与硅粉的反应分为 两个阶段:硅未熔化前的金刚石与硅的反应,硅熔化后的金刚石与硅,石墨与硅的 ...高温高压下金刚石/碳化硅体系烧结反应机理研究 - 百度学术
了解更多2023年5月19日 但是,碳化硅晶体具有高硬度,高脆性,耐磨性好,化学稳定性好等特点,这又使得碳化硅晶片的加工变得非常困难。 碳化硅衬底的加工主要分为以下几个工序,切割,粗磨,精磨,粗抛,精抛(CMP)。 1.切割 切割是将SiC晶棒沿着一定的方向切割成晶体薄片2015年1月23日 1)组合式机架 机架是整个高压辊磨机的主要受力部件,为便于安装、维护、运输,机架主体采用装配结构,机架的部份零件采用焊接件。机架的上、下机架由中间端部件联接而成,中间端部件用高强螺栓把上下两机架联接起来。由辊系传来的推力通过端部件和承力销传递到上下机架上,在机架内自 ...关于先进粉碎设备高压辊磨机的介绍_粉体资讯_粉体圈 ...
了解更多2017年8月10日 硅与碳的唯一合成物就是碳化硅(SiC),俗称金刚砂。SiC 在自然界中以矿物碳硅石的形式存在,但十分稀少。不过,自1893 年以来,粉状碳化硅已被大量生产用作研磨剂。碳化硅用作研磨剂已有一百多年的历史,主要用于 2021年6月11日 [摘 要]第三代半导体材料碳化硅(SiC)因其禁带宽度大、 热稳定性强、 热导率高、 抗辐射能力强等优点, 以耐高温、 高压、 高频著称, 在功率半导体领域有着广泛的应用前景而成为半导体材料的技术研究前沿和产业竞争焦点。本文详细论述了第三代半导体材料碳化硅(SiC)的生产方法、 研究进展和 ...第三代半导体材料碳化硅(SiC)研究进展 - 知乎
了解更多碳化硅磨料是一种常用的磨料,是一种广泛用于陶瓷和其他材料的研磨、打磨和抛光的磨粒。碳化硅 磨料以其超强的硬度和研磨性能而著称,适用于包括金属、木材和陶瓷在内的各种材料的加工。由于它们具有超强的硬度和研磨性,因此也常用于生产 ...2023年4月28日 但是,碳化硅晶体具有高硬度,高脆性,耐磨性好,化学稳定性好等特点,这又使得碳化硅晶片的加工变得非常困难。 碳化硅衬底的加工主要分为以下几个工序,切割,粗磨,精磨,粗抛,精抛(CMP)。 1.切割 切割是将SiC晶棒沿着一定的方向切割成晶体薄片详解碳化硅晶片的磨抛工艺方案_技术_新闻资讯_半导体产业网
了解更多2024年8月21日 中国粉体网讯 碎磨工艺是后续选别工艺的准备作业,碎磨质量的高低直接决定选矿指标的优劣,在当前“双碳”战略政策背景下,作为矿山主要耗能单元的碎磨过程承担着重大的责任。 高压辊磨机,高效节能的粉碎设备 高压辊磨机采用“层压破碎”的工作原理。2023年7月21日 SiC的最大优点是,仅5 μm的薄漂移区域可以阻挡650 V,这意味着在该电压范围内,快速开关MOSFETs可以取代较慢开关的硅绝缘栅双极晶体管(IGBTs)。高压碳化硅 (SiC)器件的现状——学术视角 互联网数据资讯网 ...
了解更多2011年6月1日 在我国要提到磨料磨具或碳化硅 ,就不能不提到沈阳第一砂轮厂,这第一砂轮厂(虽已于 1996 年破产)是 ... 避雷器碳化硅,是专门用于高压 或超高压输电线路,导雷入地的一种具有非线性电导性能的特种碳化硅,用它加工后制成的阀片是高压 ...2022年2月18日 碳化硅半导体,是新近发展的宽禁带半导体的核心材料,以其制作的器件具有耐高温、耐高压 、高频、大功率、抗辐射等特点,具有开关速度快、效 首发于 半导体行业观察 切换模式 写文章 登录/注册 碳化硅,究竟贵在哪里?半导体行业观察 ...碳化硅,究竟贵在哪里? - 知乎专栏
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