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铜包裹碳化硅颗粒复合粉体的化学原位沉积制备与表征
2011年11月24日 主要原因为: (1) SiC颗粒形状棱角分明, 表面较为光滑, 在搅拌作用下剪切力较大, 不利于Cu颗粒的沉积; (2) SiC与Cu晶格参数不匹配, Cu颗粒难以在SiC颗粒表面非均匀形核长大, 后续的沉积过程以部分先形核的Cu颗粒为基 2024年6月11日 在国际上率先开发了“无催化引发聚合技术制备高纯碳化硅粉源”关键技术研究，研发的新材料成功应用于半导体制程所需的高精密特种碳化硅陶瓷件、半导体功率器件、集成电 晶彩科技张磊：超高纯碳化硅粉体制备及高端应用（报告）
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铜/铜包覆碳化硅复合材料的制备与表征,International Journal of ...
2014年6月5日 在这项研究中，使用化学镀技术在SiC颗粒上均匀沉积了一层铜薄层。然后将涂覆有铜膜薄层的SiC增强颗粒与铜共混 以生产Cu / SiC复合材料。首先通过球磨法将铜基体 2024年4月23日 研究表明，在sic表面化学镀覆cu等金属镀层可以明显提高了铝基复合材料的力学性能及致密度，镀覆的铜镀层在与铝基体进行粉末冶金热压烧结的过程时，在较低的烧结温度 一种双镀层碳化硅颗粒的制备方法及其应用 - X技术网
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铜包裹碳化硅颗粒复合粉体的化学原位沉积制备与表征
以铜氨离子为铜源,水合肼为还原剂,在表面预氧化的SiC表面,采用一步原位化学沉积法制备了均匀包裹Cu颗粒的SiC复合粉体.采用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、傅立叶红外光谱(FT 铜包覆碳化硅复合粉体材料的制备及表征. 选用平均粒径约为50～100μm的碳化硅颗粒作为基料,以水合联氨为还原剂,氨水为络合剂,利用非均相成核法制备铜包覆碳化硅复合粉体材料,在温度 铜包覆碳化硅复合粉体材料的制备及表征 - 百度学术
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碳化硅的制备及应用最新研究进展 - ResearchGate
2022年5月20日 常用的制备碳化硅粉体方法有碳热还原法、机 械粉碎法、溶胶–凝胶法、化学气相沉积法和等离子体气相合成法等等。 本文对 SiC 粉体的制备、碳化硅覆cu碳化硅粉 徐州捷创新材料科技有限公司(宏武纳米)是高新技术企业,成立于2002年,是中国工业化规模生产高科技产品的企业——Beta碳化硅晶须,碳化硅颗粒粉体,银粉系列(纳米覆cu碳化硅粉
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碳化硅粉体表面改性研究进展 - 百度文库
候万 国等 己二 酸、 用 硬脂 酸的羟基 与Y－ P YZ 粉体颗粒表 面吸 附的水 并解 离 出的羟基发生反应 ，在其表面形成单分子膜 ，变成 非极性 ，能够很好地悬浮在 非极性 液体中降低粉体 2023年9月16日 有科研人员研究了不同粒径以及不同杂质含量的SiC粉体对SiC单晶生长的影响，发现单晶中大部分的杂质均来自SiC粉体，单晶的质量与粉体的纯度呈线性关系。最火的粉体之一--碳化硅粉 - 知乎
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金刚石表面镀覆碳化硅的研究_穆云超 - 百度文库
金刚石表面镀覆碳化硅的研究_穆云超-金刚石–碳 化 硅 复 合 材 料 可 通 过 许 多 工 艺 制 备 ，比 如 高 温 高 压 反 应 烧 结[7]、熔 融 硅 压 力 渗 透[8]、热 等 静 压＊ 基金项 目： 河 南 省 科 技 开 放 合 作 项 目 （142106000051）；河 南2024年4月23日 研究表明，在sic表面化学镀覆cu等金属镀层可以明显提高了铝基复合材料的力学性能及致密度，镀覆的铜镀层在与 ... 18、作为本发明所述制备方法的一种优选方案，其中：所述将初步包覆碳化硅粉体在氢气还原气氛中加热还原处理，其中 ...一种双镀层碳化硅颗粒的制备方法及其应用 - X技术网
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铜/铜包覆碳化硅复合材料的制备与表征,International Journal of ...
2014年6月5日 在这项研究中，使用化学镀技术在SiC颗粒上均匀沉积了一层铜薄层。然后将涂覆有铜膜薄层的SiC增强颗粒与铜共混 以生产Cu / SiC复合材料。首先通过球磨法将铜基体和SiC增强材料（镀铜的和未镀铜的）混合，并在具有50 kN单轴压紧载荷的定制模具中压制。2021年12月29日 （ 4） AlSiC的比刚度（刚度除以密度）是所有电子材料中最高的：是铝的3倍，是W-Cu和Kovar的5倍，是铜的25倍，另外AlSiC ... 团体标准《晶体生长用高纯碳化硅粉 体》公示并征集参与单位 2024/10/09 第三代半导体发展加速，特凯斯碳化硅原材料及 ...【工艺篇】IGBT封装的新一代材料：铝碳化硅基板_粉体资讯 ...
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高致密高包覆率银包铜粉的制备和性能
2017年9月29日 作为新型复合材料的银包铜粉,具有良好的晶体特性、阵列结构和机械性能。银包铜粉是一种核壳结构材料,具有铜的物化性能和银的优良金属特性以及高导电性、抗氧化性和热稳定性,既节约贵金属又降低了成本 [1,2,3,4,5,6]。银包铜粉在导电填料、电子屏蔽材料 [7]、电子浆料、抗菌材料 [8,9,10]、导电 ...2009年6月6日 【摘要】：碳化硅颗粒具有耐磨、耐腐蚀、高强度、高硬度以及成本低廉等优点,是 5, 张锐,高濂,郭景坤非均相沉淀制备Cu包裹纳米SiC复合粉体颗粒[J]无机材料学报2003年03期.覆Cu碳化硅粉
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富乐华，罗杰斯，东芝：从专利看AMB陶瓷基板发展现状-技术 ...
2024年5月20日 因为氮化铝、氮化硅、碳化硅陶瓷基板的大量开发推动与之更适配的AMB覆铜工艺快速发展。 第三阶段第二发展期：2005年至今。 随着电动车、电力机车以及半导体照明、航空航天、卫星通信的高速发展阶段对半导体芯片的载体提出更高的要求，促进性能更优的AMB工艺再次进入高速发展期。1 天前 图 Si3N4-AMB覆铜陶瓷基板工艺流程 Ag-Cu-Ti系活性钎料的使用形式包括以下四种，随Ti元素的形态、钎料的组合方式不同而有所不同： ①预涂Ti粉(或TiH,粉)膏剂，然后加预成形焊片(通常为Ag 72 Cu 28 合金焊片)； ②预先在陶瓷表面以PVD(物理气相沉积)或SiC功率器件核心材料——AMB陶瓷基板及钎焊工艺
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氮化硅陶瓷覆铜基板制备及可靠性评估 CERADIR 先进陶瓷在线
2022年2月16日 摘要：氮化硅陶瓷覆铜基板优异的高可靠性使其成为高铁、电动汽车等领域功率模块最有前途的基板材料之一，目前只有日本厂商具备量产能力，国内进口困难，阻碍了相关产业的发展。采用气压烧结实现了高性能氮化硅陶瓷基板的制备，并通过活性金属钎焊工艺获得了氮化硅陶瓷覆铜基板。2022年2月16日 [0046] 本发明对所述二硼化铪粉、碳化硅粉 、二硅化钽粉、氧化钆粉的来源没有特殊的要求，使用本领域常规市售的上述成分即可 ... ：利用荷兰panalytical公司生产的x’pertprompd型多晶x射线衍射分析仪对实施例中所制备的复合粉体进行分析；测试 ...一种二硼化铪-碳化硅-二硅化钽-氧化钆复合粉体及其制备方法
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一种碳化硅颗粒表面高效低成本热还原镀镍的方法与流程
2020年10月28日 本发明属于碳化硅表面改性的技术领域，具体涉及到一种碳化硅颗粒表面高效低成本热还原镀镍的方法。背景技术碳化硅颗粒作为一种陶瓷增强相，常用作增强相颗粒用于金属基复合材料的制备中，有效的解决了纤维增强金属基基复合材料纤维成本高的问题，而且材料各向同性，制备工艺简单，成本 ...2022年6月17日 将Ag粉、Cu粉、Ti粉按所需比例混合，也可以用银铜合金粉或银包铜粉代替Ag粉、Cu粉，TiH2粉代替Ti粉，或者直接用Ag-Cu-Ti三元合金制备粉末，再添加溶剂、触变剂、流平剂等有机成分配置成Ag-Cu-Ti焊膏。Si3N4-AMB覆铜基板的三大研究热点 - 艾邦半导体网
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近“0”空洞率！AMB-Si3N4基板的活性钎焊技术 - 艾
功率器件用陶瓷覆铜基板的材料目前主要有氧化铝（Al 2 O 3 ）、氮化铝（AlN）和氮化硅（Si 3 N 4 ）等。 随着第三代功率芯片（如 SiC、GaN）制备技术的成熟，更高功率密度和更高工作环境温度导致 Al 2 O 3 和 AlN 覆铜基板 2024年8月8日 碳化硅（SiC）作为一种宽禁带半导体材料，因其独特的物理和化学特性，在半导体行业中占据了重要地位。相比于第一代和第二代半导体材料（如硅和砷化镓），碳化硅单晶具有更优良的热学和电学性能，如宽禁带、高导热性、高温度稳定性以及低介电常数等，是高温、高频、高功率和抗辐射等极端 ...碳化硅晶圆进入8英寸时代！研磨抛光环节该如何破局？_粉 ...
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Ni60合金包覆WC粉激光熔覆涂层的组织与性能 - 机械工程材料
通过激光熔覆Ni60合金包覆WC粉（简称镍包WC粉）在45钢基体上制备了WC增强镍基合金熔覆涂层，研究了涂层的显微组织、物相组成、显微硬度与耐磨性能等，并与Ni60合金+WC机械混合粉熔覆涂层的进行对比。结果表明：2种熔覆涂层均与基体形成冶金结合；与 ...2024年1月16日 铝基碳化硅（AlSiC）材料（图六）是陶瓷碳化硅颗粒增强铝基复合材料（又称铝渗碳化硅），是在真空环境下用压力将铝液渗入碳化硅预制型中,使合金的显微结构发生变化，引起合金性能发生变化，从而使复合材料的强度等性能显著提高的一种金属复合材料。金属基复合材料在电子封装中应用---铝基碳化硅（AlSiC）、铝 ...
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碳化硅粉体表面改性研究进展 - 百度文库
碳化硅粉体表面改性研究进展-随着纳米技术制备新型陶瓷材料研究的不断深入,对纳米级粉体的使用日益广泛。但由于纳米粉体的表面活性很大,很容易团聚在一起。通过表面改性可以使粉体达到稳定分散,因而这一技术也受到越来越广泛的关注。2019年5月17日 本发明涉及石英光纤材料技术领域，具体为一种碳化硅涂覆石英光纤的制作方法。背景技术： 石英光纤是一种基于石英玻璃为芯材的光导纤维，石英光纤不仅传光光谱范围非常广，从紫外区一直可以到近红外区，一般为250-2600nm，而且是目前已知的除光子晶体光纤外，光损耗最小的光纤。一种碳化硅涂覆石英光纤的制作方法与流程 - X技术网
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刘光良教授：挠性覆铜板（FCCL）中的粉体技术应用探讨 ...
2024年6月6日 为了进一步提升挠性覆铜板的使用性能，扩大挠性覆铜板的应用领域，6月12-13日，在广州日航酒店举办的“中国粉体工业百人论坛”，粉体圈特别邀请来自深圳大学的刘光良教授现场分享报告《挠性覆铜板（FCCL）中的粉体技术应用探讨》，介绍粉体技术在研究和开发挠性绝缘基膜材料中的应用 ...2015年11月27日 金属表面纳米化,金属表面沉积颗粒,超疏水纳米金属表面,纳米碳化硅,碳化硅颗粒,碳化硅纳米线,纳米碳化硅粉, ... 化学镀法，将SiC颗粒经敏化活化处理后，置于硫酸铜溶液中，经过置换反应得到金属Cu 包覆纳米SiC复合颗粒。主要研究内容及研究 ...纳米碳化硅颗粒表面金属化的研究 - 豆丁网
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晶彩科技张磊：超高纯碳化硅粉体制备及高端应用（报告）
2024年6月11日 之所以碳化硅成为第三代宽禁带半导体材料，因为其在禁带宽度、击穿电场、热导率、电子饱和速率等方面展现出显著优势，也因为其在高温、高压、高频领域的优异表现。 超高纯、类球形 3C-SiC微粉（来源：晶彩材料） 半导体案例 1、SiC具有约3.26 eV的宽带隙（相比于硅的1.12 eV）；约 4.9 W/cmK 的热 ...2020年5月8日 本发明涉及覆氢氧化铝的碳化硅颗粒粉体的制造方法、以及包含该粉体和分散介质的分散体的制造方法。背景技术： 碳化硅(sic)为高硬度，其高温耐热性、机械强度、耐冲击性、耐磨耗性、耐氧化性和耐腐蚀性优异，且热膨胀系数小，因此，可以期待在以研磨用组合物、高温结构构件为代表的各种 ...覆氢氧化铝的碳化硅颗粒粉体的制造方法、以及包含该粉体和 ...
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覆cu碳化硅粉
覆cu碳化硅粉 徐州捷创新材料科技有限公司(宏武纳米)是高新技术企业,成立于2002年,是中国工业化规模生产高科技产品的企业——Beta碳化硅晶须,碳化硅颗粒粉体,银粉系列 ...2019年6月12日 据报道，中国电子科技集团公司第二研究所（中电科二所）实现了5N以上高纯度的碳化硅单晶粉料量产。结合其自身碳化硅单晶生长炉的生产能力，实现了第三代碳化硅（SIC）半导体从设备到原料的完全自主生产。中电科二所：实现5N+碳化硅（SIC）半导体粉料自主生产 ...
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「技术」碳化硅粉体表面改性方法及研究进展
2023年11月23日 纳米碳化硅粉 体的分散、团聚特性正是与上述的表面状态和其自身的表面性质密切相关的 ... 进行无机包覆改性的应用事例较多，也已近成熟，如在TiO2表面包覆Al2O3，在Al2O3颗粒表面涂覆Ni、Pd等的氧化物来改善其与金属Al ...2023年11月14日 碳化硅膜生物反应器在含油废水处理方面，也展示出较好的处理效果。与聚合物平板膜相比，碳化硅陶瓷膜的通量增加了50%以上，可有效降低水中化学需氧量和浊度等参数。碳化硅膜在处理含油废水时展现出较好的应用前景。三、在气体分离中的应用碳化硅陶瓷膜有哪些应用，如何制备？这篇说全了！_粉体 ...
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碳化硅（SiC）粉体制备技术综述：从传统到前沿金蒙新材料 ...
2024年7月19日 碳化硅（SiC），作为关键的工业原料，因其卓越的物理与化学特性——高熔点、优异的热导率、出色的抗氧化性和高温强度、以及卓越的化学稳定性和耐磨性，在众多领域中扮演着不可或缺的角色。其早期制备主要依赖于碳热还原法，即Acheson法，此法因原料成本低廉和工艺简便，成为工业化合成SiC ...2022年3月9日 涂覆浆料的试验配比(质量分数)为:3. 5 μm 碳化硅微粉 43. 4% ,0. 65 μm 碳化硅微粉 16. 6% ,α-氧化铝微粉 11. 04% ,二氧化硅微粉 4. 56% ,金属硅微粉 2. 4% ,去离子水 22% ,另外加入不同含量的分散剂-FS20、增稠剂-CMC、和粘结剂-CL 进行试验(见表 2),将各碳纤维长度以及添加量对碳化硅网状多孔陶瓷性能的影响 ...
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