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碳化硅设备行业深度报告：多技术并行，衬底切片设备加速 ...
3 天之前 碳化硅设备行业深度报告：多技术并行，衬底切片设备加速国产化. 【1. 碳化硅高性能+低损耗，产业化受制于衬底产能】. 半导体材料都更迭四代了，宽禁带材料也突破瓶颈了。. 2019年9月5日 碳化硅功率器件整个生产过程大致如下图所示，主要会分为碳化硅单晶生产、外延层生产、器件制造三大步骤，分别对应产业链的衬底、外延、器件和模组三大环节。 碳化硅 第三代半导体发展之碳化硅（SiC）篇 - 知乎
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一文了解碳化硅（SiC）器件制造工艺 - ROHM技术社区 ...
2022年12月1日 碳化硅因其出色的物理性能，如高禁带宽度、高电导率和高热导率，有望成为未来制作半导体芯片的主要材料之一。为了确保SiC器件的优质应用，本文将详细介绍SiC器件 3 天之前 原理是利用线锯的快速运动将切削液中的磨料颗粒带入锯缝，在切割线的压力和速度的带动下，游离的磨料颗粒在锯缝中不断滚动，从而实现材料的切割。 图：砂浆线切割示意图. 利用该项技术切割碳化硅晶锭时，磨粒对切割效果 顺应降本增效趋势，半导体碳化硅(SiC) 衬底4种切割
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碳化硅制造中的环节和设备 - 电子工程专辑 EE
2023年9月22日 致力于全球领先的存内计算技术及芯片. 1、芯片制造. 碳化硅SBD与MOSFET的基本制造方法相同，SBD结构简单、制造工艺相对简单，MOSFET的制造工艺相对复杂，以结构最简单的横向、平面型MOSFET为 2022年8月11日 摘要:碳化硅(SiC)是制作高温、高频、大功率电子器件的理想电子材料,近20年来随着外延设备和工艺技术水平不断 提升,外延膜生长速率和品质逐步提高,碳化硅在新能源汽车 化学气相沉积法碳化硅外延设备技术进展 - Researching
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碳化硅（SiC）行业深度：市场空间、未来展望、产
2023年9月27日 SiC器件制造的工艺环节与硅基器件基本类似，包括涂胶、显影、光刻、减薄、退火、掺杂、刻蚀、氧化、清洗等前道工艺。但由于碳化硅材料特性的不同，厂商在晶圆制造过程中需要特定的设备以及开发特定的工艺，无法 2024年10月18日 目前主流的切割工艺大体分为多线切割和激光切割，多线切割又可细分为砂浆线切割和金刚石线切割。 来源：《碳化硅单晶衬底加工技术现状及发展趋势》，《碳化硅晶圆切割方法综述》，东吴证券研究所 多线切割顺应降本增效趋势，半导体碳化硅(SiC) 衬底4种切割
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技术碳化硅产业链条核心：外延技术 - 知乎
2020年12月2日 控制碳化硅外延缺陷，方法一是谨慎选择碳化硅衬底材料；二是设备选择及国产化；三是工艺技术。碳化硅外延技术进展情况： 在低、中压领域，目前外延片核心参数厚度、掺杂浓度可以做到相对较优的水平。2022年12月15日 在研磨工艺后的清洗环节，国内半导体清洗设备龙头盛美上海7月份推出了新型化学机械研磨后（Post-CMP）清洗设备，该设备用于制造高质量衬底化学机械研磨（CMP）工艺之后的清洗，6英寸和8英寸的配置适用于碳化硅（SiC）衬底制造，8英寸和12英寸配置产业加速扩张之下，碳化硅设备成入局“香饽饽”_
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碳化硅的合成、用途及制品制造工艺
2020年6月10日 为了获得纯碳化硅的致密陶瓷制品，以便最大限度地利用碳化硅本身的特性，所以发展了自结合反应烧结法和热压法制造工艺。 自结合碳化硅，就是将α-SiC与碳粉混合后，用各种成型方法成型，然后将坯体置于硅蒸气中加热，使坯体中的碳粉硅化变成β-SiC，而将α-SiC的颗粒紧密结合成致密制品。2023年9月27日 SiC器件制造的工艺环节与硅基器件基本类似，包括涂胶、显影、光刻、减薄、退火、掺杂、刻蚀、氧化、清洗等前道工艺。但由于碳化硅材料特性的不同，厂商在晶圆制造过程中需要特定的设备以及开发特定的工艺，无法与过去的硅制程设备、工艺完全通用碳化硅（SiC）行业深度：市场空间、未来展望、产业链及相关 ...
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碳化硅的制备及应用最新研究进展 - 汉斯出版社
2024年10月15日 碳化硅具有强度大、硬度高、弹性模量大、耐磨性好、导热性强和耐腐蚀性好等优异性能，被广泛地应用于磨料磨具、陶瓷、冶金、半导体、耐火材料等领域。常用的制备碳化硅粉体方法有碳热还原法、机械粉碎法、溶胶–凝胶法、化学气相沉积法和等离子体气相合成法等等。2023年2月26日 设备是决定各厂商产能上限的决定性因素。 碳化硅产业资本开支加速，供应链安全可控助力国产碳化硅设备厂商突围 碳化硅晶圆和器件的制备基本工艺流程同硅基半导体基本一致，但部分工艺段使 用专用设备，部分需要在硅设备基础上加以改进。行 业 研 机械设备 关注碳化硅设备国产化突破和加速 究 2023 ...
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2025市场达200亿，碳化硅关键设备企业迎历史机遇 - 知乎
2023年11月12日 基于上述情况，如今碳化硅晶体制备难点更在于工艺而非设备本身，碳化硅长晶炉与传统硅晶有相同性，结构不算复杂，单价不到100万/ 台，已经基本实现国产化，而工艺上每家衬底厂商都有细微差别，也是核心技术所在，因此许多衬底厂商都 ...2023年2月15日 摘要碳化硅(SiC)是制作高温、高频、大功率电子器件的理想电子材料,近20 年来随着外延设备和工艺技术水平不断 提升,外延膜生长速率和品质逐步提高,碳化硅在新能源汽车、光伏产业、高压输配线和智能电站等化学气相沉积法碳化硅外延设备技术进展 - 电子工程专辑 EE ...
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碳化硅衬底设备行业深度报告：新能源需求兴起，国产替代有 ...
2022年3月2日 SiC 衬底设备：与传统晶硅差异较小，工艺调教为核心壁垒 SiC 衬底设备主要包括：长晶炉、切片机、研磨机、抛光机、清洗设备等。与传统传 统晶硅设备具相通性、但工艺难度更高，设备+工艺合作研发是关键。2021年12月24日 因为以后要用到大量的这种材料因此想了解一下这种材料的生产工艺。比如，当前主流的生产工艺是什么？优缺 第二个应用是中低压输配电，为了提高效率，需要利用SiC器件实现中低压输电，一般采用MMC结构。我想了解一下碳化硅的生产工艺？ - 知乎
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2025市场达200亿，碳化硅关键设备企业迎历史机遇
2023年11月30日 基于上述情况，如今碳化硅晶体制备难点更在于工艺而非设备本身，碳化硅长晶炉与传统硅晶有相同性，结构不算复杂，单价不到100万/ 台，已经基本实现国产化，而工艺上每家衬底厂商都有细微差别，也是核心技术所 2024年3月12日 苏州优晶半导体科技股份有限公司是一家专注于大尺寸（6英寸及以上）导电型碳化硅晶体生长设备研发、生产及销售的高新技术企业。公司经多年努力研发电阻法碳化硅晶体生长设备及工艺，于2019年成功研制出6英寸电 碳化硅设备研发、生产、销售企业-苏州优晶半导体科
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系列详解第三代半导体发展之碳化硅（SiC）篇_材料
2019年6月13日 二是碳化硅芯片主要的工艺设备基本上被国外公司所垄断，特别是高温离子注入设备、超高温退火设备和高质量氧化层生长设备等，国内大规模建立碳化硅工艺线所采用的关键设备基本需要进口。三是碳化硅器件高端检测设备被国外所垄断。 4. 碳化硅功率模块2021年7月21日 碳化硅由于化学性能稳定、导热系数高、热膨胀系数小、耐磨性能好，除作磨料用外，还拥有很多用途，例如：以特殊工艺把碳化硅粉末涂布于水轮机叶轮或汽缸体的内壁，可提高其耐磨性而延长使用寿命1—2倍；用以制成的高级耐火材料，耐热震、体积小碳化硅，第三代半导体时代的中国机会 - 国家自然科学基金 ...
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碳化硅制备工艺包括哪些？ - 问答集锦 - 未来智库
2024年3月11日 4. 晶圆制造：工艺与硅基类似，需要特定工艺和设备 工艺流程与硅基器件大体类似，材料不同要求特定工艺与设备。碳化硅 器件也包括器件设计、晶圆制造和封测等环节，晶圆制造主要包括涂胶、 显影、光刻、清洗、减薄、退火、掺杂、刻蚀、氧化、磨削、切割2024年2月18日 生产设备决定产能上限，国产设备决定供应链安全。碳化硅产业在国内的发展，绕不开国产设备企业的发力。而谁能率先获得突破，谁就有望在未来的碳化硅市场获得更高的市场地位，碳化硅设备企业也将得到重新排序评估。来源于集邦化合物半导体，作者Winter多达数十家，SiC关键设备企业图谱 - 知乎
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碳化硅陶瓷的3D打印技术及其应用 - 艾邦半导体网
2024年6月21日 素坯加工，实现碳化硅制品功能结构一体化成型，解决了大尺寸、复杂结构制品的工艺难题。 图 3D打印碳化硅样品，来源: ... 艾邦建有 3D打印陶瓷微信群，欢迎3D打印陶瓷材料、设备 、加工、下游应用等产业链上下游企业加入。长按下方二维码 ...2016年12月15日 西 西 南 科 技 大 学 工 工 程 硕 士 专 业 学 位 论 文 碳化硅的节能粉碎设备与工艺研究 作 者 姓 名： 宋金仓 所 在 学 院： 环境与资源学院 专 业/ 领 域： 矿业工程 学 校 导 师： 陈海焱 教授 张明星 副研究员 校 外 导 师： 徐庆元 研究员 论文完成日期 2016 年 4 月 10 日 万方 碳化硅的节能粉碎设备与工艺研究 - 道客巴巴
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碳化硅制造中的环节和设备 - 电子工程专辑 EE Times China
2023年9月22日 半导体工艺与设备 1、半导体工艺研究、梳理和探讨。 2、半导体设备应用、研发和进展。 3、建华高科半导体设备推广，包括：曝光机、探针台、匀胶机和切片机。 4、四十五所半导体设备推广，包括：湿化学设备、先进封装设备、电子元器件生产设备等。碳化硅冷凝器设备工艺原理-8.附着性强：碳化硅陶瓷管表面具有多孔性，表面积较大，附着性强，能够有效地捕集和附着烟气中的有害气体。 9.清洗方便：碳化硅陶瓷管表面附着物可通过自动控制系统进行清洗，提高设备稳定性和使用寿命。碳化硅冷凝器设备工艺原理_百度文库
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碳化硅的生产工艺流程是怎样的？ - 知乎
2024年4月25日 碳化硅广泛应用于陶瓷工业、电子工业、化工工业等领域。下面是碳化硅的常见生产工艺 ... 3.烧结：将混合好的粉末放入热处理设备，进行烧结。烧结工艺 中，主要有以下几个步骤：-预烧处理：将混合物加热到一定温度，通过预烧处理除去其中 ...2023年12月5日 碳化硅产业链主要由衬底、外延、器件、应用等环节组成。碳化硅晶片作为半导体衬底材料，根据电阻率不同可分为导电型、半绝缘型。导电型衬底可用于生长碳化硅外延片，制成耐高温、耐高压的碳化硅二极管、碳化 半导体碳化硅（SIC）产业链图谱详解； - 知乎
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半导体设备碳化硅（SiC）零部件行业研究报告 - 电子工程 ...
2024年3月29日 一、半导体设备 碳化硅（SiC）零部件行业的相关基本概念 （一）半导体设备零部件行业的基本概况 半导体行业遵循“一代技术、一代工艺、一代设备”的产业规律，半导体设备 的升级迭代很大程度上有赖于其 零部件 的技术突破。精密零部件不仅是半导体设备制造环节中难度较大、技术含量较高的 ...4 天之前 碳化硅衬底有诸多缺陷无法直接加工，需要在其上经过外延工艺生长出特定单晶薄膜才能制作芯片晶圆，这层薄膜便是外延层。几乎所有的碳化硅器件均在外延材料上实现，高质量的碳化硅同质外延材料是碳化硅器件研制的基础，外延材料的性能直接决定了碳化硅器件性能的实现。碳化硅外延生长炉的不同技术路线 - 艾邦半导体网
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衍梓装备：业内首款改进工艺SiC栅氧制备设备_
2023年12月8日 在硅基领域，公司关注细分化和差异化方向，产品包括STO等离子表面处理设备、高可靠厚外延生长设备等；碳化硅领域，重点关注特色工艺创新，产品包括碳化硅衬底处理设备SiC-T、碳化硅低缺陷栅氧制备设备SiC-GO、及碳化硅检测解决方案等。2022年4月24日 本文基于对碳化硅材料烧结行为、显微结构以及力学性能的认识，综述了碳化硅烧结工艺 ... 1995 年沈阳星光技术陶瓷有限公司从德国 FCT 公司引进技术和设备，在国内开始了重结晶碳化硅陶瓷材料的制造。国内外碳化硅陶瓷材料研究与应用进展 CERADIR 先进陶瓷在线
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碳化硅衬底磨抛加工技术的研究进展与发展趋势 - 艾邦半导体网
3 天之前 通过对现有碳化硅衬底磨抛技 术的总结及分析，未来碳化硅衬底磨抛加工技术的 发展将集中在工艺参数的优化、新磨料及抛光液的 研究、加工设备的自动化和智能化发展、环保加工方 法的开发、多尺度磨抛加工以及跨学科研究等方面.2024年6月22日 近日，“行家说三代半”在进行产业调研时发现，国内又有1家企业成功获得了8英寸碳化硅设备订单。据悉，华卓精科发布了国内首台8英寸碳化硅激光退火设备，已经顺利通过中国台湾某客户验证，已开展交付，这也代表国产8英寸碳化硅关键设备工艺成功实现自主化，深入迈进高端设备制造领域 ...华卓精科交付国内首台8吋SiC激光退火设备-第三代半导体风向
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碳化硅设备厂商正在闷声发大财 - 电子工程专辑 EE Times China
2024年7月19日 莱普科技 在晶圆制造领域推出了碳化硅晶圆激光退火设备；拉普拉斯 则推出了碳化硅基半导体器件用超高温氧化炉和碳化硅基半导体器件用超高温退火炉，其中，碳化硅基半导体器件用超高温退火炉用于碳化硅的高温退火活化工艺，可以消除晶格缺陷，有效提高
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